日本羅姆株式會社昨日發表第四代650V絕緣閘雙極性電晶體（IGBT），此元件在導通損耗方面表現優異，達到業界領先的低值，並符合車規標準，將有效提升電動車與工業設備等高電壓應用的能源效率。
日本半導體製造商羅姆株式會社（ROHM Semiconductor）昨日宣布，已成功開發第四代650V絕緣閘雙極性電晶體（IGBT），該系列產品具備業界領先的低導通損耗特性，適用於電動車及工業設備變流器等高電壓應用。
根據《Taiwannews.com.tw》報導，這款新型IGBT在導通損耗（VCE(sat)）方面達到1.55V的低值，代表元件導通時的能量耗損更少，能有效提升電力效率。該產品系列同時擁有高短路耐受能力，在25°C時可承受7微秒（µs）的短路，並符合嚴苛的AEC-Q101車規可靠度標準，確保產品能符合汽車電子嚴苛環境要求。
羅姆株式會社透過重新設計元件結構，包括製程與邊緣終端結構，提升了第四代IGBT的電流密度，同時降低導通損耗與切換損耗，以應對日益提高的高電壓需求。這項技術創新使其新產品特別適合電動車的電動壓縮機和高壓加熱器，以及工業設備中的變流器（將直流電轉換為交流電的裝置）。
目前，羅姆株式會社已推出採用TO-247N封裝的12款產品（RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR系列）及10款裸晶圓產品（SG83xxWN系列）。另有12款TO-247-4L封裝產品（RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR系列）正在開發中。部分TO-247N封裝產品及裸晶圓產品已上市，並可透過得捷（DigiKey）和Premier Farnell等線上經銷商購買。
作為其EcoIGBT™品牌的一環，羅姆株式會社計畫持續擴展相同封裝系列的產品線，並開發更緊湊、適用於表面黏著的IGBT產品，例如採用TO-263L封裝及頂部散熱（TSC）的解決方案。羅姆株式會社強調，公司透過整合式生產系統，獨立開發從晶圓製造到封裝與品質控制的關鍵技術，鞏固其在電力電子元件領域的領導地位。