南韓半導體大廠三星電子與SK海力士正加速在美國設立先進半導體製造據點，分別在德克薩斯州和印第安納州投入數百億美元建廠，以回應美國聯邦政府壓力並鞏固全球市場地位，此舉也反映出南韓國內半導體聚落發展面臨的挑戰。
南韓兩大半導體巨頭三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix），正加速擴大在美國的半導體生產據點，以應對美國聯邦政府日益增加的設廠壓力，同時鞏固其在全球半導體供應鏈中的領導地位。
美國聯邦政府持續向南韓半導體業者施壓，要求其擴大在美國本土的生產設施。美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）曾公開呼籲三星電子與SK海力士在美國設立記憶體晶圓廠。此舉不僅能使這些公司與位在美國的科技巨頭客戶進行更緊密的合作，包括交易、聯合研發和人才交流，也旨在超越長鑫儲存（Changxin Memory Technologies, CXMT）與長江儲存（Yangtze Memory Technologies, YMTC）等中國競爭對手。
SK海力士已於上週四（當地時間）在美國印第安納州西拉法葉市（West Lafayette）舉行為其先進封裝生產據點的動工儀式。該公司計劃投入超過 38.7 億美元（約 5.3 兆韓元）興建包含先進封裝廠與人工智慧（AI）記憶體研發設施。印第安納州的工廠預計於 2028 年底完工，將量產包含下一代高頻寬記憶體（HBM）在內的 AI 記憶體產品。SK海力士也將善用鄰近普渡大學（Purdue University）的半導體研究基礎設施與人才，以強化技術發展的綜效。據SK海力士執行長Kwak Noh-Jung表示，若條件允許，該公司正在全球各地評估設廠機會。
另一方面，三星電子則投入超過 370 億美元（約 51 兆韓元），在德克薩斯州泰勒市（Taylor）打造其晶圓代工聚落。該公司在泰勒市的第一座設施預計於今年底進入營運最後準備階段，而第二座設施也將於今年底動工，目標在 2030 年開始量產。三星電子同時致力於擴展 1.4 奈米（nm）製程技術，以維持技術領先並迅速搶佔科技巨頭對AI晶片的需求。
值得注意的是，與在美國設廠的快速進展形成對比，南韓國內的「湖南地方（Honam）半導體聚落」仍面臨實際挑戰，包括電力、水資源供應基礎設施及場地開發等不確定性。南韓總統李在明（Lee Jae-myung）近期曾與三星電子會長李在鎔（Lee Jae-yong）及SK集團會長崔泰源（Chey Tae-won）舉行私人晚宴，討論針對湖南地方聚落的基礎設施支援措施，以及因應美國半導體投資壓力所採取的對策。