輝達執行長黃仁勳來台參加科技盛會，並在SK海力士的HBM晶圓上簽名，要求「多生產」高頻寬記憶體，凸顯AI晶片對此關鍵零組件的急迫需求。面對龐大商機，SK海力士與三星電子兩大記憶體廠正加速擴大HBM產能，並積極開發新技術，全力搶攻AI記憶體市場大餅。
輝達（Nvidia）執行長黃仁勳本週抵達台灣，將出席全球科技盛會 COMPUTEX 2026 及 GTC Taipei。此行除聚焦輝達第一季亮眼財報後續發展，更凸顯了人工智慧（AI）晶片關鍵零組件——高頻寬記憶體（HBM）的供應緊張，以及由輝達、SK海力士與台積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, TSM）組成的「AI半導體三角聯盟」在全球供應鏈中的關鍵地位。
AI晶片之父黃仁勳在台灣行程中，親自向供應商 SK海力士「催單」。根據外媒報導，他日前在 SK海力士的 HBM4E 晶圓（Wafer，半導體晶片製造的基礎材料，通常是圓形的薄片）上簽名，並寫下「請多生產一些」（Please make more）的字句，顯示輝達對高頻寬記憶體（HBM，一種專為人工智慧晶片設計的關鍵記憶體技術，能大幅提升資料處理速度）的強勁需求。黃仁勳強調，HBM 看似簡單，實則技術複雜，其性能、品質、可靠性及供應能力都至關重要。
面對輝達執行長的急切呼籲，HBM 兩大供應巨頭 SK海力士與三星電子（Samsung Electronics）正加足馬力應對。SK集團會長崔泰源對外表示，公司正「全力以赴」擴大其動態隨機存取記憶體（DRAM）和 HBM 的生產能力，目標是在未來五年內將整體晶圓產能翻倍。他強調，這項擴張計畫將有助於公司在持續成長的 AI 市場中保持領先地位。
三星電子也不甘示弱，於 COMPUTEX 展覽中率先展示了實體 HBM5 模型，這是該公司第八代 HBM 產品。三星計畫透過其獨特的「熱路徑阻斷（Thermal Path Block）技術」以及採用「2奈米基底晶粒（2nm base die）」來鞏固在次世代 AI 記憶體市場的主導地位。展場中，三星還展出搭載自家產品的輝達新一代 AI 加速器「Vera Rubin」（一種人工智慧加速器），並積極推廣其 HBM4、SOCAMM2（一種記憶體模組）及企業級固態硬碟（SSD）等記憶體與儲存產品組合，以強化與客戶的合作。
黃仁勳曾公開表示，台灣是全球 AI 革命的「核心」，輝達未來每年可能在台灣投入高達 1,500 億美元的資金，並將在台灣設立新的總部，預計雇用數千名員工。這突顯了台灣在全球 AI 供應鏈中的關鍵角色，特別是台積電負責製造輝達先進的 AI 晶片，而 SK海力士及三星則提供運作這些 AI 系統所需的高頻寬記憶體。
分析師指出，隨著 AI 伺服器（專為處理大量 AI 運算任務設計的電腦主機）投資持續擴大，HBM 需求量將不斷攀升，這將促使 HBM 供應商之間的競爭更加白熱化，特別是在 HBM4 等次世代產品的供應上。輝達在截至上週的 2027 會計年度第一季財報中，營收達 816 億美元，年成長高達 85%，調整後每股盈餘（EPS，公司每一股賺多少錢）為 1.87 美元，年增 140%，遠超華爾街預期。這也反映出市場對 AI 晶片龐大的需求動力，以及 HBM 供應鏈在其中扮演的核心角色。