中國在自製浸潤式深紫外光（DUV）曝光機領域取得突破，上海一家受政府支持的企業已開始量產，預計今年將向中芯國際、華虹半導體等晶圓廠交付首批設備，目標在 2027 年產量達到 20 台，此進展發生在美國加強晶片出口限制之際，但國產設備在性能和品質上仍落後於國際大廠艾司摩爾。
中國在半導體製造設備自主化方面再有新進展。根據《Tom's Hardware》報導，上海一家獲政府支持的企業已開始量產國產浸潤式深紫外光（DUV）曝光機，首批設備預計於今年交付中芯國際、華虹半導體及長鑫儲存等中國主要晶圓製造商，作為晶圓生產線驗證及後續導入使用。消息指出，這項計畫整合多家中國企業的研發資源，其中包括國有新創公司Shanghai Yuliangsheng Technology，中芯國際自2025年起便已開始測試相關浸潤式曝光設備。
報導指出，中國規劃2026年生產約5台國產浸潤式DUV曝光機，2027年進一步提升至約20台。雖然設備多數零組件已逐步實現國產化，但部分關鍵零件仍仰賴日本供應商，因此今年的量產進度受到零組件交付延遲影響。浸潤式DUV曝光機可用於28奈米等級晶片製造，若搭配多重圖案化（Multipatterning）技術，理論上可延伸至約7奈米製程，但需增加曝光次數，也可能影響製程精度、生產效率及晶片良率，因此實際量產仍面臨一定技術挑戰。
此次國產設備推進，也正值美國持續收緊對中國半導體設備限制之際。美國眾議院近期推動《MATCH法案》，除將中芯國際、華虹半導體、長鑫儲存、華為及長江存儲等企業列入限制範圍外，也進一步擴大對浸潤式DUV設備的管制，包括限制既有設備維護、零件供應及技術支援，希望進一步壓縮中國先進晶片製造能力。隨著取得海外設備及服務愈發困難，中國近年積極投入半導體設備自主研發，希望降低對國際供應鏈的依賴。
不過，業界普遍認為，中國國產DUV設備距離國際領先水準仍有一段差距。全球光刻設備龍頭艾司摩爾（ASML）目前仍掌握高階浸潤式DUV及極紫外光（EUV）曝光機市場，相關設備在生產效率、穩定性及良率控制方面仍具明顯優勢。ASML預估2026年浸潤式DUV系統出貨量約130套，並計畫於2027年提升約30%的產能。市場分析指出，即使中國完成國產設備量產，後續仍須經過長時間生產線驗證及客戶導入測試，才能逐步提升市場接受度，而EUV曝光技術的商業化能力，仍將是中國半導體設備自主化的重要挑戰。