台積電在美國亞利桑那州斥資2,650億美元打造的晶圓廠區，預計本月啟用，目標是成為美國本土先進晶片製造中心，第一座晶圓廠已量產4奈米晶片，並獲美國「晶片與科學法」高額補助，旨在降低對台灣晶片供應鏈的依賴。
台積電位於美國亞利桑那州的龐大晶圓廠區，總投資額高達2,650億美元，預計本月完成並啟用，成為美國史上最大的全新建設外國直接投資案。該廠區佔地超過1,100英畝，規劃興建六座邏輯晶圓廠、兩座先進封裝設施及一座研究中心，旨在強化美國本土半導體製造能力。
根據《App.dealroom.co》報導，這項大規模投資緣起於2020年的晶片短缺，以及先進晶片生產過度集中在台灣的風險。美國的半導體製造能力從1990年佔全球總量的37%，驟降至2022年的約10%，使得建立第二生產基地成為美國國家安全的優先考量。
亞利桑那廠區的擴建進程顯示，目前已有四座晶圓廠在生產或建設中。其中，第一座晶圓廠（Fab 1）已於2024年第四季達到4奈米晶片的量產階段，代表美國本土首次大規模生產先進邏輯晶片。蘋果公司（Apple）是Fab 1預期的客戶之一。第二座晶圓廠（Fab 2）則鎖定N3製程，預計於2027年下半年投產；第三座晶圓廠（Fab 3）規劃於2030年前生產N2及A16製程的晶片。值得一提的是，奈米製程（即半導體元件的關鍵尺寸）的數字越小，代表電晶體越精密、效能越高。
美國政府也透過「晶片與科學法」（CHIPS Act）提供大力支持，台積電已獲得最高66億美元的直接補助，並可取得最高50億美元的貸款。這筆資金與建廠里程碑、創造就業及員工培訓承諾掛鉤。預計前三座晶圓廠將創造約6,000個直接工作機會，加上建築和供應鏈相關職位，可望帶來數萬個工作機會。
晶圓廠的運作需要大量資源，單一晶圓廠每天可消耗數百兆瓦電力及數百萬加侖的超純水。為此，亞利桑那廠區預計在2028年啟用一座水回收處理廠。此外，廠區使用的極紫外光（EUV）微影設備，是半導體製造最先進的關鍵設備，每台重達百噸，造價超過1.8億美元，新型的高數值孔徑（High-NA）EUV系統甚至高達3.5億美元以上。
為了確保人才供應，台積電已與亞利桑那州立大學（Arizona State University）等多所機構合作，並派遣受訓員工赴台灣接受教育訓練。台積電此舉也被視為美國強化戰略韌性與經濟威懾的策略，透過建立本土半導體生態系，減少晶片供應鏈受臺灣海峽潛在衝突的影響。