德國半導體巨頭英飛凌（Infineon）宣布將斥資11億歐元擴建其奧地利菲拉赫廠區，以打造功率半導體全球中心，聚焦氮化鎵技術，預計2027年底投產，旨在透過奧地利政府3.19億歐元的資助，配合歐盟晶片法案，強化歐洲半導體供應鏈的自主性。
德國半導體大廠英飛凌（Infineon）宣布，將投入11億歐元（約新台幣382億元）擴建其位於奧地利菲拉赫（Villach）的廠區，目標是將該地發展成為功率半導體的全球卓越中心。此項重大投資主要聚焦於氮化鎵（GaN）半導體技術，預計將於2027年底前啟動生產。
根據英飛凌發布的資訊，此次擴建將採用300毫米晶圓，這項技術在氮化鎵製程中具備領先地位，能讓每次生產的晶片數量比200毫米晶圓增加約2.3倍，大幅提升成本效益並節約資源。這些新型氮化鎵半導體在人工智慧（AI）資料中心、能源轉型技術、現代能源基礎設施、電網、電動車以及先進機器人等領域扮演關鍵角色。《Yole Intelligence》等市場分析機構預期，氮化鎵功率半導體市場將迎來快速成長。
這項總值11億歐元的投資計畫，獲得奧地利政府的大力支持。奧地利經濟、能源暨旅遊部長 Wolfgang Hattmannsdorfer 指出，奧地利共和國將提供3.19億歐元的資金，佔總投資額約29%，此筆款項近期已獲歐盟執委會（European Commission）批准。此舉旨在透過歐盟晶片法案（European Chips Act）的框架，減少對亞洲及美國的戰略依賴，並將歐洲在全球半導體生產的份額從目前不到一成提升。
英飛凌執行長約亨·哈內貝克（Jochen Hanebeck）與 Infineon Austria 首席執行官 Sabine Herlitschka 表示，這項投資展現了對奧地利優秀人才、大學合作夥伴關係以及穩定基礎設施的信心。克恩頓州（Carinthia）州長 Daniel Fellner 更稱此為「克恩頓州作為高科技中心的一個歷史性里程碑」。據統計，半導體產業每創造一個工作機會，相關供應鏈、物流與服務業可帶動多達六個額外職位，有助於長期保留私人資本並確保奧地利高技能職位的穩定。
英飛凌在菲拉赫的歷史可追溯至1970年，當時西門子（Siemens）在此設立二極體製造廠。1997年，菲拉赫被指定為西門子功率電子全球卓越中心。1999年，西門子分拆半導體部門後，英飛凌科技（Infineon Technologies AG）正式成立。儘管英飛凌總部設於德國新比貝格，但菲拉赫已成為其功率半導體領域的全球樞紐。Infineon Austria 目前約有5,800名員工，其中約4,800人在菲拉赫廠區服務，每年研發預算達數億歐元，被譽為奧地利最具研究實力的工業企業。