美光科技發表其最快的 256GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，速度高達 9200 MT/s，較現行量產模組效能提升超過四成，並能顯著降低資料中心功耗，以滿足大型語言模型與即時推論等 AI 工作負載對高效能記憶體的需求。
美光科技（Micron Technology）已開始出貨其最新款 256GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，此模組傳輸速度高達 9200 MT/s，相較目前市場上大量生產的 DDR5 RDIMM 模組，效能提升幅度超過四成。這項突破性進展，旨在滿足人工智慧（AI）伺服器對高效能記憶體日益增長的需求。
據《Wccftech》報導，此款新型記憶體採用美光領先的 1-gamma DRAM 技術，結合了 3D 堆疊（3DS）與矽穿孔（TSV）封裝技術。這不僅使其達到 9200 MT/s 的高速度，更在功耗方面實現顯著優化。單一 256GB 模組相較於兩個 128GB 模組，可將運作功耗降低逾四成，為資料中心帶來重要的效率提升。
隨著大型語言模型（LLM）、代理式 AI（agentic AI）以及即時推論（real-time inference）等 AI 工作負載的快速普及，企業伺服器對於更大的記憶體容量、更高的頻寬和更優異的電源效率需求孔急。美光（Micron）這款新模組正是為了解決這些挑戰而生，能讓伺服器架構師、超大規模營運商及平台合作夥伴，在現代資料中心的散熱與功耗限制下，最大化每個插槽的記憶體容量。
美光目前正與主要伺服器生態系合作夥伴進行共同驗證，涵蓋現有及新一代伺服器平台，以加速這項產品投入市場。此舉確保了廣泛的平台兼容性，並加速資料中心客戶大規模建構 AI 與高效能運算（HPC）基礎設施的進程。在全球半導體產業鏈中，台灣扮演著舉足輕重的角色，美光此類記憶體技術的發展，將對整體產業生態系帶來深遠影響，特別是在 AI 運算需求持續攀升的趨勢下。