商傳媒｜吳承岳／台北報導
摘要
韓國半導體巨頭SK海力士為鞏固其在人工智慧記憶體市場的領導地位，宣布將透過增資與在那斯達克掛牌美國存託憑證（ADR），籌集約294億美元，同時已向主要客戶出樣最新HBM4E記憶體，以吸引全球投資並強化競爭力。
韓國記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）近日宣布一項重大財務策略，計畫透過增資與在那斯達克（Nasdaq）掛牌美國存託憑證（ADR，一種允許外國公司股票在美國交易所交易的憑證），共籌集約 294 億美元。此舉旨在擴大該公司的投資者基礎，並積極爭取全球投資者對人工智慧（AI）記憶體市場的投資興趣。
SK海力士董事會已批准此次的資本籌集與美國上市計畫。此大規模增資與那斯達克上市，被視為公司將流動性、所有權結構及未來融資彈性推向新階段的策略，特別是為了滿足與日俱增的AI相關記憶體需求。
為強化其在AI領域的競爭力，SK海力士已向主要客戶出樣 HBM4E 新一代動態隨機存取記憶體（DRAM）樣品。這款 HBM4E 具備更高的頻寬、更佳的電源效率以及優化的散熱能力，顯示其致力於在高階AI記憶體市場與美光（Micron）、三星（Samsung）等主要競爭對手保持領先地位。
儘管此次發行新股與 ADR 將導致股權顯著稀釋，但SK海力士仍決定採行，以確保有充足資金投入高頻寬記憶體（HBM）的開發與產能擴充。分析師已指出，此舉可能帶來非現金收益偏高和股價波動等風險，一旦那斯達克掛牌後市場情緒轉弱，這些風險恐被放大。不過，HBM4E 的出貨進展仍支持SK海力士在AI伺服器與資料中心記憶體市場的競爭力。
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