在美中科技戰背景下，韓國三星電子和SK海力士兩大記憶體廠仍持續擴大對中國廠區的投資與生產，其中西安廠與無錫廠合計佔其各自NAND與DRAM產能的四成。同時，三星也正將其在美國的遊說重心轉向人工智慧、6G與數據中心等新興科技領域。
儘管美國對中國半導體產業實施嚴格限制，三星電子與SK海力士兩家韓國記憶體大廠，仍持續對其位於中國的老舊工廠進行大量投資。此舉不僅提升了中國廠區的生產能力，也維持了這些廠區在全球記憶體產能中的重要佔比，凸顯企業在複雜的「美中科技戰」（美國與中國在科技領域，特別是半導體方面，長期以來的競爭與限制）地緣政治下尋求平衡的策略。
根據《koreajoongangdaily》報導，自2025年以來，三星與SK海力士便積極擴大在中國的營運規模與投資。其中，三星西安廠區佔其NAND快閃記憶體總產量的40%，而SK海力士的無錫廠則負責其DRAM（動態隨機存取記憶體）總產量的40%，大連廠則供應30%的NAND產量。在投資方面，三星於2025年對西安廠增資4,654億韓元（約3.34億美元），較前一年激增68%，主要用於生產線升級。SK海力士也在中國業務投資超過1兆韓元，其中無錫DRAM廠獲5,810億韓元，大連NAND快閃記憶體廠獲4,406億韓元，投資額分別較2024年成長102%和52%。
這些投資與擴張計畫在美國於2025年取消兩家公司在中國廠區的「認證最終用戶」（Validated End-User, VEU）資格後持續進行。VEU資格的取消，意味著韓國晶片製造商現在必須每年申請許可，才能為其中國廠區進口受美國管制的高科技晶片設備。面對此挑戰，報導指出，有傳聞稱三星與SK海力士已投入兩年時間測試中國製造的設備，以避免違反美國出口禁令，但兩家公司皆否認此說法。分析認為，傳統DRAM和NAND晶片價格上漲幅度甚至超過高頻寬記憶體（HBM），促使部分生產線回歸傳統DRAM以提升獲利。SK海力士的大連二廠已於今年恢復建設，預計明年投產，每月將新增4萬至6萬片晶圓產能，使該廠區總產能提升50%。然而，三星預期其晶圓產能要到2028年之後才能有顯著增長。
另一方面，三星電子也積極調整其在美國的遊說策略，以適應不斷變化的科技與政策環境。根據《BigGo Finance》報導，三星電子美國分公司（Samsung Electronics America）已於本月23日向美國國會提交遊說活動報告，顯示其關注點已從過往的半導體補貼與貿易，擴展至人工智慧（AI）、資料中心電網及6G等新興領域。這項策略轉變發生在去年年中，恰逢生成式AI服務如ChatGPT興起之際。三星不僅將AI相關政策獨立列為遊說議程，還在今年第二季新增了針對資料中心電網與能源法案的遊說項目，並將「智慧財產權政策」納入考量。儘管遊說範圍擴大，但今年上半年三星的遊說支出總計266萬美元，較去年同期下降約7.0%。